本低壓熔斷器觸頭性能測(cè)試臺(tái)*國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)IEC60269-1:2009、GB13539.1-2015(低壓熔斷器第1部分:基本要求) 標(biāo)準(zhǔn)中第8.10章節(jié)“觸頭不變壞驗(yàn)證”的試驗(yàn)要求,用于模擬熔斷器在嚴(yán)酷使用條件下,驗(yàn)證長(zhǎng)期運(yùn)行中不受擾動(dòng)的觸頭性能損壞情況。
主要技術(shù)參數(shù):
1. 設(shè)備輸出電壓:0~690V;
2. 設(shè)備輸出電流:0~5000A;
3. 通電時(shí)間:1~9999s;
4. 斷電時(shí)間:1~9999s;
5. 試驗(yàn)樣品:3組;
6. 試驗(yàn)循環(huán)次數(shù):1-800次可設(shè)置;
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設(shè)備滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn):
低壓熔斷器觸頭性能測(cè)試臺(tái)*國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)IEC60269-1:2009、GB13539.1-2015(低壓熔斷器第1部分:基本要求) 標(biāo)準(zhǔn)中第8.10章節(jié)“觸頭不變壞驗(yàn)證”的試驗(yàn)要求。